您当前位置:首页-更多信息
更多信息

    【文化节】施敏院士来我校讲学

    时间:2013-06-15 浏览次数:

    在国家和大连市外国专家局的资助下,受申长雨校长邀请,IEEE Fellow、美国工程院院士、中国工程院外籍院士,国际著名半导体器件专家和教育家施敏教授于5月20至6月5日,在我校电子科学与技术学院进行了为期三周的讲学,还面向全校师生做一场“百川讲堂”演讲,受到了热烈欢迎。

    施敏教授讲授了《Physics of Semiconductor Devices》(半导体器件物理)课程的“半导体物理学”、“金属-绝缘体-半导体(MIS)电容”、“MOSFET及非易失性存储器”三部分内容。施教授精神矍铄、思维敏捷,凭借深厚的理论功底与50年职业生涯积累的工程经验,把课程内容讲的深入透彻,点到困惑之处,让人茅塞顿开。来自我校电子科学与技术学院、物理学院及大连其他高校相关专业的教师和学生150余人听了施敏教授的讲课,电子科学与技术学院为听课师生准备了配套中文教材和数百页的英文讲义。

    施教授先从美国工程院选出的20世纪最大的20个工程进展讲起,其中有10个与电子信息相关。指出电子信息产业将是21世纪最大的产业,预计到2030年,世界前30大产业中,有22个会与微电子/纳电子相关。

    随后,施教授通过5个小故事和大家分享了自己所经历的微电子科技发展和人生感悟。在场的同学针对自己感兴趣的方面,向施教授提出了关于工程技术、环保、人生哲学等方方面面的问题,施教授都一一作答。施教授还希望同学们“Doing well by doing good”,即做对人类有贡献的事情并获得财富,帮助自己和周围的人生活的更好。

    相关资料:

    施敏(Simon M. SZE),1936年生,美国国籍,1957年获台湾大学电机工程学士,1960年获美国华盛顿大学电机工程硕士,1963年获美国斯坦福大学电机工程博士。1963~1989年任职于贝尔实验室,1990年至今在台湾新竹交通大学(NCTU)电子工程系任教授。

    施教授在半导体接触、微波器件及MOSFET技术研发中都有开创性贡献,拥有非易失性存储器、LED、SOI器件制造技术等23项专利,1991年获得IEEE电子器件领域最高荣誉—Ebers奖。特别是他在1967年实现了采用MOS晶体管浮栅存储电荷的非易失性存储器(NVSM:Floating-gate non-volatile semiconductor memory)结构,即今天我们熟知的闪存(FLASH、EEPROM),已获广泛应用。据粗略估计,今天几乎100%的电子产品含有闪存,全球平均每人拥有8个闪存设备。这项发明促进了信息存储技术革命,对整个半导体产业影响深远,人类受益无穷,施教授也因此多次被诺贝尔奖提名。

    施教授是一位著作等身的学者,发表过200多篇论文,出版过14本专著,有六本已在大陆翻译出版,其中《Physics of Semiconductor Devices》(半导体器件物理)一书被翻译成六国文字,发行量逾百万册,被引用超过2万次。从1969年该书第一版出版以来,该专著的三个版本先后被译为中文出版,作为大学教材,为培养我国半导体专业人才做出了很多贡献。近20年来,施教授亦亲自在国内10所大学开设过半导体器件或半导体工艺相关课程,受益学生超过1000人。

    辽宁专升本www.51zsb.net


    上一篇:更多信息
版权所有:辽宁专升本考试培训网-培训官方网站 备案号:辽ICP备09013037号-5
建议使用1024*768以上分辨率及IE8.0以上浏览器可获得最佳浏览效果sitemap

辽公网安备 21010302000181号